|
NEO 半导体公司近日发布了 3D 内存技术,旨在解决内存容量瓶颈并提升容量至与 SSD 相当。据该公司透露,其即将于 2025 年推出第一代 3DX-DRAM,该产品拥有 230 层堆栈和 128Gb 的核心容量,相较于当前 16Gb 的 2DDRAM 内存实现了 8 倍容量的提升,而该公司旨在每 10 年将 3DX-DRAM 容量提升 8 倍,到 2035 年达到 1Tb 的核心容量,实现总计 64 倍的容量提升。
( u3 S# U2 p" P) h$ G
( r. D* O5 X' g, b v" Z, g
9 G, N: P! Q+ v2 \0 Z5 i0 ~
5 \( l. p c* a0 F- _0 |6 d8 Q! G) K# J
该公司的 3DX-DRAM 技术实现了通过堆栈层数来提高内存容量,这类似于闪存芯片中的 FBC 浮栅极技术,但通过增加一层 Mask 光罩,就可以形成垂直结构,进而大幅提升密度,而良率也相对较高且成本较低。尽管 3DX-DRAM 技术存在巨大潜力,然而,由于 NEO 公司自身没有晶圆厂,因此其生产还需依托授权厂商,这可能也是未来 3D 内存普及的一个难点。 |
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?立即注册
×
|