|
|
据了解,在半导体芯片的制造工艺中,光刻机负责 " 曝光 " 电路图案。在曝光的一系列工艺中,在硅晶圆上制造出半导体芯片的工艺称为前道工艺。保护精密的半导体芯片不受外部环境的影响,并在安装时实现与外部的电气连接的封装工艺称为后道工艺。2 b4 T; J$ T- F* u/ r
近日,日本佳能宣布将于 2023 年 1 月上旬发售面向后道工艺的半导体光刻机新产品—— i 线步进式光刻机 "FPA-5520iV LF2 Option"。
: o$ }0 Z; @) q4 ]3 `( J+ U4 n, p& p( K' U, s
5 u) S( h. l, b
4 S# Z$ P9 O" ]) }8 N7 S( b2 H# _ 佳能介绍,新款 i 线步进式光刻机通过 0.8 μ m 的高解像力和拼接曝光技术,使 100 x 100mm 的超大视场曝光成为可能,从而实现 2.5D 和 3D 技术相结合的超大型高密度布线封装的量产。6 h% D$ t! E0 J+ n; M: o ]9 r
所谓 i 线也就是光源来自波长 365nm 的水银灯,和 EUV 光刻机使用的 13.5nm 波长激光等离子体光源区别明显。按照佳能的说法,除芯片精细化以外,封装的高密度布线也被认为是实现高性能的技术之一。可以预见,随着对更高性能半导体器件的先进封装需求的增加,后道工艺中的半导体光刻机市场将继续扩大。 |
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?立即注册
×
|