211 博士生，一作发 Science！

胡の图图

" S- ^) L2 A; y; h7 w! F
3 月 24 日，北京科技大学新材料技术研究院、北京材料基因工程高精尖创新中心的研究团队设计一种新型的层状结构材料，采用一种简单的溶液外延生长方法，获得超薄（低至 1nm）铋氧化物薄膜，并稳定呈现出高的宏观铁电性能。研究成果以 "Ferroelectricity in layered bismuth oxide down to 1 nanometer" 为题发表在Science上。
/ N0 u% \1 d& w" C4 s: B$ |" ~
' O" \8 t( ?* \  p% h
  X; \5 O+ \1 L/ O+ m
1 i6 a6 ]1 ^$ V! ^  D- i& s& S4 _! w论文链接：
https://www.science.org/doi/10.1126/science.abm5134
北京科技大学为第一研究单位，新材料技术研究院博士研究生杨倩倩为本论文的第一作者，张林兴教授和田建军教授为通讯作者，本工作得到了邢献然教授和陈骏教授等人的指导。
# y( |6 b8 t  E( n+ ^1 F

- k% E5 ^( M3 S$ q  F
+ S* R) {4 X" \% v主要研究成员团队照
本论文研究工作的溶液工程外延薄膜技术，可以在多种基底上实现该体系层状结构薄膜，如价格低廉的 Al2O3 和钙钛矿 SrTiO3 基底上。薄膜和基底呈现明显的外延生长关系，并且所得薄膜具有高结晶质量和原子级平整表面，体现了本工作制备技术的普适性。因此，这项工作对于原子尺度薄膜的制备及原子尺度高密度电子器件的发展均具有重要意义，所开发的制备技术也表现出很好的应用前景。
) l: j3 h* P4 E' ^* Z/ U北京工业大学博士生胡敬聪和西班牙巴斯克大学方跃文研究员为共同第一作者，北京工业大学卢岳副研究员为共同通讯作者，合作单位还有以色列特拉维夫大学、上海交通大学、中国科技大学和中国科学院等单位。

/ m+ [3 K# z7 p2 m2 m) [8 S4 |