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德州仪器计划投资约226亿元!扩张在马来西亚业务

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发表于 2023-6-14 20:57:08 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 江苏苏州
原标题:德州仪器计划投资约226亿元!扩张在马来西亚业务; `6 w8 h3 u, m" ?
                          来源:东方日报8 u: ]8 A. Q+ R1 m8 G4 l' b8 @& \
当地时间6月13日,美国半导体公司德州仪器(Texas Intrusments)宣布扩张计划,在吉隆坡和马六甲开设两座新的装配和测试工厂,潜在投资高达146亿令吉(约人民币226亿元)。; U9 m# O9 E9 D4 H: R

) F$ e4 W" ^' v7 @+ V 德州仪器指出,其中一座新设施建设的地点位于吉隆坡现有的组装与测试厂房旁边,工程预计今年晚些时候开始,最早会在2025年投入生产运作。4 O* o& {. m5 z% x( v
这座设施预计潜在投资96亿令吉,并创造1300个就业机会。
! @/ o$ C1 o# r: i 此外,德州仪器也会在马六甲现有设施旁边建造一座新的6层装配和测试工厂,潜在投资额为50亿令吉。这也将创造多达500个工作机会,预计也会在2025年投产。
) x& Q' s% |# G/ e8 d- @; [. f% N 投资、贸易与工业部部长东姑扎夫鲁透过文告表示,德州仪器扩张计划反映了大马在全球半导体供应链中的明确定位,不仅加强本地价值链,还能为我国民族创造“知识基底”和高收入就业机会。
2 t9 i' c, y' H' g5 D% b. i 德州仪器组装和测试制造业务副总裁尤根奈杜表示,是次扩张计划是公司长期策略的一部份,这将扩大其内部制造能力,以支撑日益增长的半导体需求,同时保证供应更加稳定。
) R% \5 _: B. y6 Y
季度全球半导体封测产业发展趋势分析报告

+ g( g' D) u; e1 ^# x* W1 R 第一章:半导体封测行业概况6 s) _0 n* F! O' ?) u2 N
一. 半导体封测行业概述8 s' d: I0 `  O- W
二. 半导体封测产业链介绍
7 X0 \) e8 `$ p4 Q& z 第二章:半导体封装行业技术发展趋势分析  R% N- C# P1 T. q2 c# a
一. 主要传统封装技术介绍. \% M+ [. `0 Y
1.DIP/ d+ n2 g& ~. C9 Y/ L/ J9 n& W4 Q
2.SOP, m9 q; ~1 @( N
3.QFP$ e( E% P4 y  {6 K3 J6 k
4.QFN
4 @% t' j/ o9 O2 m& i8 e2 u' | 二. 主要先进封装技术介绍
4 Z, q& K/ k3 u5 @) |% E: l% `  W 1. Flip Chip+ J; l; F( ?) {+ |( K
2. WLP" z  ?2 U2 I$ }- K2 C- g! \
3. 2.5D/3D
3 ]) {# Q# p% p0 z0 w 4. SiP- W' c( C- p% p, l& v
第三章:全球主要封测企业市场规模及技术分析
& Z1 l/ `  g* X. E* e3 a( l" s9 T 一. 全球半导体封测市场规模分析) a8 y9 B  }: G# A
二. 海外主要封测企业简析9 }. J+ [( |) _, D  h" |
1.英特尔* k, w: }2 |, l# K# \% }
2.安靠
2 {. b$ q% z1 X7 N6 t1 r 三. 中国台湾主要封测企业简析9 h4 \9 m2 {) |; P3 f
1.台积电
8 Y! O4 u9 Q. }5 V3 m 2.日月光
/ _; b" w# y( t& [5 M6 @( N 3.颀邦
* j4 j) o8 `0 D6 D0 |* M! B 4.南茂+ {) S' p! X% ]. l! N* ~! l: B
5.京元电子
' W7 Q, ]2 I) c4 r9 U; m 第四章:中国大陆主要封测企业市场规模及技术分析% {& n6 b6 T: V/ w3 }4 Q, L
一. 中国大陆半导体封测市场规模分析
8 _4 v7 B  N# T; G: K" l 二. 中国大陆主要封测企业简析' H! }& o, v6 U0 c5 M; B
1.长电科技
7 p4 \$ z: W( k9 r* d4 P 2.通富微电
- `! k- l2 h7 S4 O! F/ N 3.华天科技# W6 ?! _' L$ @$ J4 N% j
4.晶方科技
+ k. a* H. Z+ n) C4 A 三.产业政策对中国大陆半导体封测行业的影响分析
- T9 ?1 o: {4 k3 R! p 联系我们8 A# U# w& v3 E4 ]+ ?2 N; Y
媒体关系:1 s: }5 c0 H/ C6 W! c
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