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日本政府斥700亿日元扶持国产半导体,将面临两大挑战 ...

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发表于 2022-12-7 10:23:39 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 陕西西安
  ·Rapidus提出的目标是利用约5年时间赶上新一代产品的尖端制造技术,但不会在规模上追赶台积电和三星。“借助日美合作研发尖端的2纳米产品之际,合作伙伴将成为关键”。3 F2 e' u" t, F1 Z2 s! U
  ·除了日本政府的700亿日元(约合35.6亿元人民币)支援之外,Rapidus获得了日本国内8家企业的总计73亿日元投资。分析人士称,700亿日元“根本不足以”让这家新公司在全球市场上具有竞争力。& f  G' j% K: F0 Y/ ]+ C
  日本新一代半导体国产计划即将启动。据日本经济新闻12月6日报道,在获得日本政府补贴以及丰田和NTT等8家企业的出资后,新公司“Rapidus”正式扬帆起航。
' p; ?# \6 [$ Q! i9 P; S, w1 v' ]  主导此次计划的是在半导体行业摸爬滚打40多年的两位日本知名经营者:小池淳义和东哲郎。在大学和海外企业的协同下,日本企业将再次挑战在10多年里停滞不前的半导体领域。“Rapidus”在拉丁语里意为迅速。, ~# Z, U7 w) q1 w$ E
  日本落后10-20年
$ G, d- }6 G& P3 B" z  日本经济新闻报道称,设立Rapidus的目的是掌握用于运算的逻辑半导体的新一代制造技术、建立量产线以及在日本推进代工业务的商业化。逻辑半导体通过使电路变得微细,大量装入承担计算的晶体管,不断提高性能。电路尺寸已缩小至以数纳米为单位。台积电(TSMC)和韩国三星电子已掌握“3纳米”产品的量产技术,还提出了2025年量产新一代2纳米产品的计划。
, M$ B* s  W8 Z" v; \& B4 A6 n  Rapidus提出的目标是利用约5年时间赶上新一代产品的尖端制造技术,进而实现量产。要实现这一目标存在很高的门槛。在11月11日举行的Rapidus成立记者会上,新公司社长小池淳义表情严肃地说,“日本(在尖端逻辑芯片领域)落后10-20年。挽回劣势并非易事”。' e, `9 X/ c: l2 V9 t5 r& y
  尖端逻辑半导体的研发和制造所需投资规模已增至以万亿日元为单位。不仅是昂贵的设备和研发,制造工序的确立也需要先进的技术和经验。日本企业未能跟上2010年代的投资竞争,其国内的逻辑半导体工厂停留在40纳米左右的水平。; z6 j4 Z3 P. l: G0 `) ]
  除了日本政府的700亿日元(约合35.6亿元人民币)支援之外,Rapidus获得了日本国内8家企业的总计73亿日元投资。新公司计划于2027年启动生产,已开始为确保设备和人才而展开行动。) R+ s' i4 A) r% v3 u/ I3 m
  对于如何面对台积电等代工巨头的竞争,小池表示,Rapidus“不会在规模上追赶台积电和三星”。台积电和三星面向像智能手机那样供货量大的终端产品生产半导体,而Rapidus将探索与两家领先企业不同的模式。体现与其他企业差异的关键是缩短此前需要数个月的工序。小池表示要“开发实现快速生产的设备,然后加以应用和推广”。
, F& j( _; S/ F; S  广泛寻求合作伙伴2 M$ _, T; |  [' y5 e) t
  如何填补10年以上的空白?小池表示,“借助日美合作研发尖端的2纳米产品之际,合作伙伴将成为关键”。& [' C8 \: _1 H- [- J- S$ X1 j& V8 Y
  今年5月,日美两国签署了“半导体合作基本原则”,提倡推进有关尖端技术的联合研究。作为研发基地,日本经济产业省计划年内启动“技术研究组合最尖端半导体技术中心(LSTC)”。除了以Rapidus为代表的日本国内外企业和研究机构之外,海外机构也将参加。预计美国IBM公司等会参加,承担尖端产品制造的关键技术的开发。& j5 D4 X1 C( o2 X  b; s
  2纳米属于技术的过渡期,这是因为随着电路变得微细,将产生某种“漏电”,高效的电流控制变得困难。各企业将采用名为“环绕式栅极技术 (简称GAA)”的新元件结构,以解决这一问题。IBM曾在2021年成功试制GAA结构的2纳米半导体产品。如果日本充分利用基础技术,存在加快赶超的可能性。  j+ Z' c& q" w0 V; z; \+ Y8 ]
  据日本广播公司(NHK)12月6日报道,Rapidus计划与比利时的实验室imac联合研究在日本制造的下一代芯片。报道称,日本制造商曾经是全球半导体市场的主要参与者,市场份额下降的一个原因是他们未能与拥有顶级技术的海外实体合作。知情人士表示,与imac的合作是朝着新方向迈出的第一步。该实验室以其小型化技术闻名,能够尽可能薄地生产电路以获得更好的性能。Rapidus计划通过派遣工程师到imac来培养人才。
$ I8 _5 W) }  \) t) Q' G  Rapidus的经营者需要在多家企业出资、政府提供支援、与海外合作等利害关系错综复杂的背景下,以前所未有的速度推进技术开发和投资。
9 m8 l+ {9 }& e  小池最近的从业经历是在美国存储器巨头西部数据(Western Digital)担任日本部门的代表。而出任会长的东哲郎也曾作为东电电子 (Tokyo Electron)的社长,负责与美国设备企业的合并谈判,还出任了日本国家半导体战略相关会议的主席。在日美两国半导体行业具有人脉的两人将担负起领导这项艰巨任务的工作。5 ~, c0 I: C4 d0 c6 X( o/ ]+ p
  2000年,日立制作所和台湾半导体企业UMC(联华电子)合资成立了半导体企业Trecenti技术。日立技术人员出身的小池参与了该公司的筹建,还担任了社长。Trecenti在全球率先掌握了采用大口径硅晶圆的量产技术。但日立与UMC的步调没能保持一致,结果遭遇挫折。  a- P0 c$ ^' [* Q' t
  “坚信日本具备能顺利造出半导体的技术。此次是(我们)获得的最后机会。”被问及尖端半导体日本国产化计划有无胜算,小池这样回答。东哲郎对这个问题的回答是,“在半导体产业,危机既是风险也是机会”。
3 r3 c0 V/ }5 T+ x  Q6 ?* k3 @  人才和资金两大难题
9 U+ M7 S% j4 q+ E/ w  日本经济新闻指出,要达成在5年时间里填补10多年留下的空白这一充满野心的目标,需要人、财、物等经营资源。1 s5 }2 R9 ]3 w: H! |+ h+ `0 U* ~7 [9 ~
  日本的计划聚集了来自产业和学术界的人才。除了小池之外,Rapidus还邀请原材料大企业JSR的前会长小柴满信等人担任独立董事。在承担基础研究的LSTC,曾在担任东京大学校长时与台积电建立合作的五神真也作为学术界的协调人参加。' w& d5 k+ v$ J2 ?' \7 b8 T2 I
  不过,工程师的招聘不像高管那样顺利。寻找精通尖端技术的半导体工程师,已呈现出跨境争夺战的局面,确保人才供给并不容易。
9 V1 {) ]& P( e1 ]  参与日美半导体协定最后谈判的日立前专务牧本次生指出,“2纳米开发的壁垒是聚集人才”,“除了长期的人才培养之外,还需要从东南亚吸引年轻研究人员等,从全球招揽人才”。' \+ K. u: p& `) W% K% [
  东海东京研究所(Tokai Tokyo Research Institute)首席分析师石野正彦告诉共同社,Rapidus可能很难在日本寻找熟练的工程师和工人。Ichiyoshi 研究所的Mitsuhiro Osawa说,试图赶上全球竞争对手的日本公司“就像一个高中生,根本没有在学校学习,试图进入东京大学”。8 y3 y8 m% q" z; A: N. p! h
  目前,随着人工智能(AI)等技术的进步,制造管理的方法也进一步升级,要脱颖而出,需要推进相应的投资和研发。不论是人才还是产品,解决难题所需要的是资本。小池推算称,今后10年需要的资金将达到5万亿日元。预计在最初5年的研究阶段需要2万亿日元,而随后的量产阶段需要3万亿日元。! T; L& ]# }2 i9 p( k. `
  据共同社报道,分析师对新公司在全球激烈竞争中是否能立即取得成功持怀疑态度。与美国《芯片与科学法案》提出的527亿美元(约合3679亿元人民币)援助相比,日本政府只拨出了700亿日元(约合35.6亿元人民币)财政支持。东洋证券高级分析师Hideki Yasuda表示,这700亿日元“根本不足以”让这家新公司在全球市场上具有竞争力,芯片行业每年需要约1万亿日元的投资。“很难强迫私营公司承担这样的成本。因此,问题是日本政府是否准备这样做。”
* v! d) p1 j5 F( {; j, |4 D  日本半导体行业的看法也各不相同。有声音积极评价称“作为成立时的出资超出预期”,另一方面,一家材料企业的领导则表示:“连英特尔都遭遇挫折,不可能取得成功。”出资企业中有消极声音称“这只是给(日本)经济产业省面子”。
9 f5 E& H3 i) G7 Y& E6 j: t1 h$ v  评论指出,Rapidus肩负的日本半导体的“十年大计”投资期漫长,其规模也将膨胀,如果出资企业与日本政府无法分别向股东和国民解释风险及回报,将难以持续。对于经营资源的确保,能在多大程度上描绘推进官民合作的未来战略将成为关键。' |+ r0 K9 `& L% N
                                                                                                                                                                                                                                                                                                    , q! `5 S5 O3 J6 ^+ S
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