台积电：绝大多数7nm客户都会转向6nm

keajoo

不久前，台积电官方宣布了 6nm（N6）工艺节点，在已有 7nm（N7）工艺的基础上增强而来，号称可提供极具竞争力的高性价比，而且能加速产品研发、量产、上市速度。台积电 CEO 兼副董事长魏哲家（CC Wei）最新披露，绝大多数 7nm 工艺客户，都会转向 6nm 工艺，使用率和量产产能都会迅速扩大。

考虑到6nm工艺沿用了7nm工艺的设计规则，升级迁移还是相当容易的，成本增加不大，性能功耗方面又有提升(虽然不会特别明显)，客户自然也乐得上新工艺，看起来这代工艺会相当流行。
台积电现在的7nm工艺有两个版本，第一代7nm(N7)采用传统DUV光刻技术，第二代7nm+(N7+)则是首次加入EUV极紫外光刻，已进入试产阶段，预计下一代苹果A、华为麒麟都会用，2019年两者合计可贡献大约25％的收入。
台积电2020年第1季量产6纳米制程，与三星竞争白热化
新的6nm工艺也有EUV极紫外光刻技术，相比7nm+(N7+)增加了一个极紫外光刻层，同时相比7nm(N7)可将晶体管密度提升18％，而且设计规则完全兼容7nm(N7)，便于升级迁移，降低成本，相比之下7nm+(N7+)则是另一套设计规则。
据台积电介绍，新的6nm工艺将对现有的7nm技术进行重大改进，同样拥有极紫外光刻（EUV）工艺，他们利用了7nm到7nm EUV工艺的经验及技术，令到N6工艺的逻辑密度提升了解18％，设计方法与7nm工艺完全兼容，所以可以快速过渡到N6工艺上的，上市时间更快。结合早前媒体报导，台积电将在今年第二季度末开始7nm EUV工艺量产，和首批搭载该工艺的有华为麒麟985以及Apple A13处理器。
2 k9 j' Z3 G- t% A; x% d# M  z台积电6nm预计2020年第一季度试产，再往后的5nm工艺也已经开始试产，号称相比于第一代7nm晶体管密度提升45％，可带来15％的性能提升或20％的功耗下降。
; {+ D9 ^2 h  q- K4 i% C, e0 c台积电进一步指出，延续7 纳米家族在功耗及效能上的领先地位，支援多样化的产品应用，包括高阶到中阶行动产品、消费性应用、人工智慧、网通、5G 基础架构、绘图处理器以及高效能运算。台积电预估， N6 技术预计于2020 年第1季进入试产，提供客户更多具成本效益的优势。
台积电业务开发副总经理张晓强表示，台积电的N6 技术将会比目前的N7 进一步延续台积电的领先地位，提供客户更高的效能与成本效益。另外，台积电建立于在7 纳米技术广泛成功的基础之上，使得台积电深具信心使客户也能够藉由现今完备的设计生态系统，迅速的从此项新技术之中获取更高的产品价值。
此外，台积电之前已经宣布5nm制程已经完成研发。这样看来，6nm和5nm都有可能被应用到2020年Apple的A14系列处理器中。而目前，三星也发布新闻稿宣布，完成极紫外光刻（EUV）技术的5nm制程研发，看来全球芯片代工市场的竞争将越来越激烈了。
根据三星官网介绍，三星电子已经成功完成5nm EUV开发，以实现芯片的更大面积扩展和带来超低功耗。三星电子称，其5纳米（nm）FinFET工艺技术的开发已经完成，现在可以为客户提供样品。通过在其基于极紫外（EUV）的工艺产品中添加另一个尖端节点，三星称再次证明了其在先进晶圆代工市场的领导地位。
* k7 @7 o* L* c+ b  [4 |- ?与7nm相比，三星的5nm FinFET工艺技术将逻辑区域效率提高了25%，功耗降低了20%，性能提高了10%，从而能够拥有更多创新的标准单元架构。
三星称，5nm的另一个主要优点是可以将所有7nm知识产权（IP）重用到5nm。因此，7nm客户过渡到5nm将极大地受益于降低的迁移成本，预先验证的设计生态系统，从而缩短他们的5nm产品开发时间。
“成功完成5nm开发，我们已经证明了我们在基于EUV的节点中的能力，”三星电子铸造业务执行副总裁Charlie Bae说。“为响应客户对先进工艺技术不断增长的需求，以区分其下一代产品，我们继续致力于加速基于EUV技术的批量生产。”
2018年10月，三星宣布准备并初步生产7nm工艺，这是其首个采用EUV光刻技术的工艺节点。该公司已提供业界首批基于EUV的新产品的商业样品，并于今年初开始量产7nm工艺。
此外，三星正在与6nm的客户合作，这是一个定制的基于EUV的工艺节点，并且已经收到了其首款6nm芯片的流片产品。
# i2 M( v' a& B6 v( b& f三星代工厂基于EUV的工艺技术目前正在韩国华城的S3生产线上生产。此外，三星将把其EUV产能扩大到华城的新EUV生产线，该生产线预计将在2019年下半年完成，并从明年开始增产。
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