新技术让内存不再依赖昂贵的光刻机 内存价格将跳伞式下跌 ...

苏沚沁

内存工艺进入 20nm 节点之后，厂商的命名已经发生了变化，都被称为 10nm 级内存，但有更细节的划分，之前是 1x、1y 和 1z 三代，后面是 1 α，1 β，1 γ。
) a$ b- F- O5 f3 Y9 L; w& u 在 1 α，1 β，1 γ 这三代中，三星在 1 α 上就开始用 EUV 光刻工艺，但是代价就是成本高。而美光前不久抢先宣布的量产 1 β 内存芯片则没有使用 EUV 工艺，避免了昂贵的光刻机。
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不使用 EUV 光刻，美光在 1 β 内存上使用的主要是第二代 HKMG 工艺、ArF 浸液多重光刻等工艺，实现了 35% 的存储密度提升，同时省电 15%。
0 E6 C+ V2 T7 b2 S9 Z 1 β 之后还有 1 γ 工艺，估计会是 12nm 级别，制造难度更大，但美光依然没有明确是否使用 EUV 光刻机。而如今的 1 β 内存，工艺水平相当于 13nm。