总投资200亿!名芯半导体晶圆生产线项目落户江西赣州

sunyurong

 
" v9 e# B0 k+ T! G7 f/ |! c

• 关于召开 “2019年中国集成电路产业发展研讨会暨第22届中国集成电路制造年会”的通知
  9 Y# z$ _7 u4 M' Y, W" |
• ICEPT 2019丨第二十届电子封装技术国际会议通知与论文征集
  , D1 ^- @" q. `# v! p
• 关于召开“2019年中国半导体制造装备战略峰会暨第七届半导体设备市场年会”的通知
  7 p3 p! A( b- n, C8 e
• 关于召开2019年中国半导体封装测试技术与市场年会（第十七届）的通知
  / X5 p" }! i# o/ C! z

( P8 s" s: ?2 c. x% n  e6 n9 P

" l5 Z  b2 C$ g# [1 H* h7 V

. R, ?! \$ [1 w7 y9 j2 ~- s8 ~

6月6日，赣州经开区与名芯有限公司（香港）、电子科技大学广东电子信息工程研究院（简称“电研院”）签订三方合作框架协议，总投资200亿元的名芯半导体项目顺利落户赣州经开区。
    
4 r. C' R+ n% N9 J) o/ |4 [5 W市委常委、赣州经开区党工委书记李明生出席并见证项目签约。赣州经开区党工委副书记、 管委会主任陈水连代表区管委会与电研院、名芯有限公司代表签约。赣州经开区领导傅小新主持。电研院院长、广东名芯半导体有限公司董事长陈雷霆，名芯有限公司董事、总经理刘明华,赣州经开区领导宋鹏等参加。
    
据悉，项目分两期建设：一期投资60亿元，建设一条8英寸功率晶圆生产线；二期投资120-140亿元，规划建设第三代6/8英寸晶圆制造生产线或12英寸硅基晶圆制造生产线。两期项目达产达标后，预计实现年产值100亿元以上。项目涉及的产品类型包括IGBT、功率MOS、功率IC、电源管理芯片等，覆盖全球功率器件领域全部类别中80%品种。同时，项目规划建设与晶圆关联的封测工厂、IC设计公司、微电子研究院等三个项目。



" ^$ C- {" B; X* m


快，关注这个公众号，一起涨姿势～
% T; k8 y9 M; z1 N# `$ e
来源：http://mp.weixin.qq.com/s?src=11&timestamp=1560169805&ver=1660&signature=e1bVv*27noP6aWtUbclshLxBgaigdzADen4jxRNUi83mwtt-pBa5jTF15r6*jnXmICze2Anc352bQLP3RFGKCgbCTUvVeCdknNnIJBJQ7BbfJ9JXeZ8Q7ZLyOzy8z7sg&new=1
0 [6 z/ w& h' C8 R免责声明：如果侵犯了您的权益，请联系站长，我们会及时删除侵权内容，谢谢合作！