不扩展，必消亡，全球三大硬盘厂商如何看待HDD和SSD发展?

常务管理员

在大数据时代，SSD和HDD是大容量数据存储的主导者，同时也正展开着激烈的竞争。那么未来存储模式将如何变化，HDD命运又将如何，东芝、西部数据，以及希捷全球三大硬盘厂商是如何看待的？
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8 S+ F6 ]0 _+ c2 R+ y在日前的CFMS2019上，东芝和西部数据发表了精彩演讲，西部数据高级副总裁兼中国区总经理Steven Craig表示，伴随着5G推广，AI、IOT、自动驾驶技术的普及，视频应用、智慧城市等建设，未来4年内，到2023年产生的数据总量将达到103 ZB。

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为了满足大数据存储需求，Steven Craig进一步表示，不扩展必消亡，逆势而动，必将出局。因此，西部数据的叠瓦式磁记录（SMR）技术通过增加磁碟数量、扩大磁碟尺寸和窄化轨道实现来“物理”扩展，以及为每个区域叠加更多轨道进行“逻辑”扩展，使得HDD单盘容量得以增加，预计到2022年，在HDD中，SMR HDD 将贡献60%的数据存储空间，预计2023年服务器将规模化的转移至PCIe 4.0，满足海量存储和高速传输的需求。

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" L1 l/ v* B. cHDD透过增加磁盘区域的密度，保持与SSD在单位TB成本上的差异，希捷认为HDD至少在15年内不受SSD的影响，因为每TB的成本将持续保持优势。基于HAMR（热辅助磁记录）技术，在磁盘表面可填充更多Bits，预计到2023年HDD容量将增长到30TB+，到2026年HDD容量将可超过50TB，到2034年预计面密度的复合年增长率将达到20%。
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另一方面，希捷推出了“多读写臂”(Multi Actuator) 技术，双磁头HDD的顺序带宽高达520MB/秒，已达到了SATA SSD的速度水平。希捷已经生产了55000个HAMR HDD，预计到2020年上半年，接近7200rpm速度的18TB传统HAMR HDD和20TB SMR HAMR HDD将可批量生产，目标是在2020年底之前供应给客户，现已有一些客户正在初期的样品测试。

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7 ^; U4 U4 c& ?  g! t' N" F& p0 I虽然HDD的性能和容量在不断的提升，但是SSD增长趋势并最终取代HDD的主导地位的发展趋势依然未变，若当SSD每TB的成本下降到HDD成本的5倍或更少时，消费者的购买需求将从HDD转向SSD。

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7 s1 o: D+ D2 v& E) i1 E这主要依赖于3D NAND技术的发展，在CFMS2019上，三星、东芝、西部数据等展示了其3D NAND技术的发展，原厂目前正在引入96层3D NAND，并计划在此之后转向128层。于此同时，也有更多的品牌厂商在SSD中采用QLC（4Bit），而且东芝和西部数据介绍了其研究的PLC（5-bit-per-cell, 32-level cell）技术，这些先进的技术都将持续降低SSD单位成本。
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# e  u# [0 p& Z, |3 `7 d) `/ l& T值得注意的是，借助PCIe 4.0，SSD的速度优势较HDD将会更加的明显，因为随着智能连接设备数量的增加，且都将需要存储，PB甚至ZB级容量的数据存储，其中一半将存储在公共云中，而一半将存储在本地中。在峰会上，东芝技术执行官Shigenori Yanagi表示，从2020年开始，PCIe 4.0将从企业级服务器开始应用，再到客户端，预计2023年将规模化的转移至PCIe 4.0，满足大数据存储海量存储和高速传输的需求。

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另外，西部数据高级副总裁兼中国区总经理Steven Craig提到了目前大数据存储的挑战，认为目前数据中心相对单一的数据存储流程和方式，造成数据中心的TCO（总体拥有成本）无法达到最优，甚至有时不得不牺牲延时，降低效率。在面对用户端负载多样化时，也普遍采用被动式的应对，并非系统性考量，导致即不能很好地解决不同热度数据的合理存储，甚至使得系统整体性能无法充分发挥。

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在峰会上，东芝提出了一种新的技术，东芝技术执行官Shigenori Yanagi认为目前市场上已经有一些低延迟的SSD，但是由于有限的SSD资源，市场上没有可用的低延迟存储组件源，使得市场还比较小众。东芝推出的低延迟XL-Flash技术是介于传统DRAM和NAND Flash闪存之间，拥有较NAND更高的速度和较DRAM更大的容量，而且成本相对平衡，这款XL-Flash技术目前正在出样中，将可有效的优化数据存储架构。
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同时，西部数据也提出了分区存储的解决方案，ZNS NVMe SSD旨在为云和超大规模数据中心提供高效的存储架构，帮助用户在ZB级容量的存储时代保持具有竞争力的总体拥有成本，实现更大的规模效益。

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' ]. r7 y: _! U9 C2 G: ^7 `3 ]9 aCFMS2019峰会更多精彩内容，点击左下角“阅读原文”，我们将持续更新...
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! D: e/ B- i. [( L0 d+ V4 V2 ]来源：http://mp.weixin.qq.com/s?src=11&timestamp=1569317405&ver=1872&signature=uyq*nfKgsj49PrXXr3NbhLsRTQpzM9hNJ6-M7vgbJdryUIrh8U8hSfc3VfZ0Z1RIjQOzTxsSFBG5D4rEn7*lVUG4Fine2N1LHy9GTjyM37I57BPUGtkCiTfo3XOAw1gJ&new=1
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