台积电的反击：指控格芯侵犯25项专利，并要求禁售!

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1 W3 O+ g; m: N3 E8 n/ ]" E8月底，全球第二大晶圆代工厂格芯(GlobalFoundries)指控全球第一大晶圆代工厂台积电（TSMC）专利侵权，并向美国国际贸易委员会（ITC）提起专利侵权诉讼。近日，ITC宣布对台积电及其多家下游客户发起了“337调查”。对此，9月30日，台积电终于采取了反制措施，对格芯提起了25项专利侵权的诉讼，并要求禁售格芯相关产品及服务。
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2 M' D) x" G. m8 U% i+ m$ f格芯率先发难
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今年8月27日，格芯被曝已在美国华盛顿向ITC提起了指控台积电专利侵权的诉讼，同时格芯还在美国和德国的联邦法院提起民事诉讼。格芯表示，台积电总共侵犯了其16项专利，其中13项在美国，另外3项在德国。格芯声称此项专利涵盖了半导体制造的基本原理，并且涉及了台积电28nm、16nm、12nm、10nm和7nm相关产品。
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0 N$ O- U* _8 J& k$ J, U$ k具体涉及的16专利如下：
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" }7 w, z+ ]$ d2 V1 @除了被起诉的台积电之外，台积电的直接客户以及下游的分销、终端厂商也被列入了起诉对象。
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' X: r# N1 A7 j* ?* U其中包括芯片设计公司：苹果、博通、联发科、英伟达、高通、赛灵思；元器件分销商：Avnet / EBV、Digi-key、Mouser；终端厂商：Arista、华硕、BLU、思科、谷歌、海信、联想、摩托罗拉，TCL、OnePlus（一加）等。
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作为诉讼的一部分，格芯还要求在美国和德国禁售依赖这些专利生产的处理器。
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% \! C* q3 z8 W) b& M对此，台积电当时发布声明回应称，格芯所提的诉讼内容并无根据，公司以一切可能的方法来反击，以保护自主研发的专有技术。

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台积电表示，台积公司对于其同业不以技术在市场上竞争，而诉诸毫无根据的法律诉讼之行为感到失望。台积公司对于技术领先、卓越制造、以及对客户不移的承诺有坚定的自信，“我们将尽所能，以一切可能的方法来反击，以保护我们自主研发的专有技术。”
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台积电还在声明中强调，该公司是集成电路制造领域创新领导者，每年投入数十亿美金自主研发世界级的先进半导体制造技术，拥有超过37000项专利，并从2016年起连续三年成为全美前十大发明专利权人。
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美国ITC针对台积电及其部分客户发起两起337调查


" U; H- {$ j6 R) I$ p当地时间9月26日，针对8月底格芯向美国ITC提出的针对台积电及其多家下游厂商的专利侵权诉讼，美国ITC决定依据《美国1930年关税法》对半导体制造商台积电及其部分下游客户发起两起337调查，其中就包括了TCL，海信，联想和OnePlus等。
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! @7 j, u# C, V在ITC宣布发起337调查之后，台积电方面再次发表公告，宣称在审查了格芯提请的诉讼内容之后，相信格芯指控的侵权内容并无根据，对于同行格芯不以技术做为竞争手段，而是诉诸毫无根据的法律诉讼的行为感到失望。并再次强调，将竭尽所能、尽一切可能的方法来反击，以保护自己的专利技术。
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+ c3 M* [  K+ V7 m8 b台积电的反击
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10月1日，针对格芯的诉讼以及美国发起的“337调查”，台积电正式做出反击。台积电发布公告称，已在美国、德国和新加坡对格芯提起25项专利侵权诉讼，同时也要求法院发布禁令，禁止格芯侵犯台积电相关专利的产品的生产和销售，并进行相应的赔偿。
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9 U' |9 N+ l9 j据介绍，台积电控告格芯侵犯的其 25 项技术专利，涵盖了 40nm、28nm、22nm、14nm、以及 12nm 等制程专利，以及 FinFET 设计、浅沟槽隔离技术、双重曝光方法、先进密封环及闸极结构、创新的接触刻蚀停止层设计，涵盖成熟及先进半导体制程技术的核心功能。



台积电强调，有争议的专利仅占台积电公司广泛专利组合当中的一小部分。台积电目前已拥有超过37000项专利，并从2016年起连续三年成为全美前十大发明专利权人。

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台积电副总经理暨法务长方淑华在声明中指出：“台积公司此次提出法律诉讼为要保护我们的声誉、庞大的投资、近500家客户、以及全世界的消费者，以确保大家都能够受惠于智能手机、5G、人工智能、物联网、以及高效能运算等应用的最先进半导体技术，这些应用对于公共利益极为重要。”

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1 ]; I5 l- c. x3 D对于台积电的指控，格芯向业内媒体“芯Voice” 回应称，“台积电长期以来利用其市场上的领先地位，对规模较小的竞争对手施压，因此公司决定发对这次诉讼，也不会因为台积电的反控动作恫吓到。”
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1 q/ ~# a' B. |. b* v8 `/ Z0 [3 h# ]台积电制程工艺技术及市场份额均遥遥领先
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作为全球晶圆代工市场的老大，一直以来，台积电的先进制程工艺技术都遥遥领先于格芯、三星等竞争对手，虽然近两年三星拼命发展晶圆代工业务，在先进制程工艺上投入重注，但是始终被台积电压过一头。

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根据研调机构报告，台积电在晶圆代工市场的市占率为56%至60%，格芯约在9%至10%，联电在8.5%至9%，三星电子在7%至7.5%。

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目前，台积电最新的7nm EUV工艺已经量产，基于台积电的7nm EUV工艺的华为麒麟990系列已经成功上市。但是，三星的7nm EUV性能和良率都不如台积电，近期还传出了三星7nmEUV产线出现良率问题，导致大量骁龙芯片报废的消息。
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7 ^0 ~9 O- c7 v% Z# l7 d8 x凭借在先进制程工艺上的优势，台积电7nm工艺今年接连拿下了苹果A13、华为麒麟990系列等订单。据悉，目前台积电的7nm产能已经满载，导致新客户订单交付期大幅延长。


不仅仅7nm，台积电的16nm、12nm以及10nm也开始陷入供不应求的境地。相较7nm，16nm、12nm、10nm仍旧是多数芯片厂商出货的主力制程，也是台积电晶圆代工应收的主要来源之一 。
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3 A7 V4 P& c. [IC Insights预测，下半年台积电的销售收入将增长32%，其中7nm全年代工收入将达到89亿美元，占比26%。
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另外在更为先进的5nm制程工艺方面，近期，台积电在二季度财报会议上明确表示，明年上半年将会实现5nm工艺量产，最快会于2020年9月上市。

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- s8 m4 u/ K  o: z( e7 @4 l2 |0 c格芯的“尴尬”

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: z( y' V' I6 I" x, L+ l3 m! B: O一直以来，格芯在先进制程技术上都要落后于台积电，再加上近年来三星的猛追，格芯的老二位置越来越不稳，市场份额也是持续下滑。而且随着工艺制程的持续推进，所需要投入的人力、物力和资金也越来越大，而近几年格芯的大股东阿布扎比的ATIC似乎不再愿意继续对格芯进行大的投入，这也使得格芯在资金上更加的捉襟见肘。

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对此，在去年8月，格芯正式宣布放弃7nm及更先进制程的研发，转而将精力投入到现有14/12nm FinFET工艺及22/12nm FD-SOI工艺。此举也意味着格芯在先进制程技术的竞争当中掉队了。这也使直接导致了格芯的“女友”AMD的7nm芯片转投台积电。
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) Y* g3 G9 z4 s4 z可以说自格芯宣布放弃继续研发先进制程工艺的那一刻起，格芯似乎就已经决定开始逐步退出晶圆代工市场。
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去年6月开始，格芯就开始了全球裁员，在建的成都12吋晶圆厂项目招聘暂停。去年10月，格芯又宣布与成都合作伙伴签署了投资合作协议修正案，取消了对成都晶圆厂一期成熟制程(180nm/130nm)项目的投资。


5 t$ r6 r+ r4 z5 x/ c4 |  I在取消了新的建厂投资之后，格芯又开始了变卖资产。今年2月初，格芯以2.36亿美元(约合人民币15.9亿元)的价格，将位于新加坡的Fab 3E 200mm晶圆厂卖给世界先进半导体公司(Vanguard International Semiconductor/VIS)，后者隶属于台积电集团，专司200mm晶圆厂业务。

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, p; Q- {3 q# v) n今年4月22日，格芯又宣布与安森美半导体(ON Semiconductor)达成最终协议，将位于美国纽约州East Fishkill的Fab 10 300mm晶圆厂卖给后者，价格为4.3亿美元（约合人民币28.9亿元）。
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' _: }, y0 n- }, m今年8月，格芯又宣布将旗下的光掩膜业务出售给日本Toppan公司的子公司Toppan Photomasks。
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值得一提的是，在今年二月格芯首度决定出售旗下晶圆厂之前，业内曾传出消息称，格芯正考虑整体出售。但是，似乎却一直没有接盘方。
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虽然当时传闻三星有可能会接盘格芯，但是，三星目前正与台积电展开激烈竞争，更看重的先进制程工艺与产能，资金的主要投入方向也是在这边，并且在这方面，三星已经遥遥领先于格芯，三星此时抽出大笔资金接盘格芯对其帮助并不大，反而可能会影响其在先进制程上的投入。
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  r' g* B  J# k8 h或许正是由于整体出售无望，在大股东希望套现止损的背景下，格芯才开始决定逐步变卖旗下资产变现。
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8 v; _# g& t( r) {8 `, N+ Z$ s
7 X6 R9 C9 B( u1 I而此次格芯针对台积电发起的专利诉讼也似乎有着将专利资源通过专利诉讼“变现”的嫌疑。格芯公司发展高级副总裁山姆·阿扎(Sam Azar)此前就曾表示，希望台积电停止使用这项难以绕过的专利技术，否则就要获得许可，并支付专利费。

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' B) J& e2 V) x! \不过，作为晶圆代工市场的老大，台积电在晶圆代工方面技术积累也是极为深厚，格芯此番专利诉讼恐怕不易获利。更何况台积电此番还针对格芯提起了25项专利侵权诉讼。格芯怕是会“羊肉没吃到，惹得一身骚”。
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编辑：芯智讯-林子
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8 f: @9 R$ a1 S  `+ h% i. D+ \+ c来源：http://mp.weixin.qq.com/s?src=11&timestamp=1569987004&ver=1887&signature=p7fBv9BPVUS3GlfzYAsXDLaK8gjESc2ib3MkId1gASJH61*EBc90KnqZn2n99pC-VMTjORWx74J7-UbzPiPCfwLuVbw-UooDWyYcRS2TMnxJR19l6iEnKS1nhUgk*KGq&new=1
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