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首尔半导体宣布拍卖两组专利,涉及高功率LED封装专利

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发表于 2019-11-28 05:32:35 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 中国

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% F7 ]* Y3 i( \3 v& e. p" o1 K9 I首尔半导体今日发布通告称, 该公司将拍卖其射频(RF)半导体专利组合和高功率LED封装专利组合。  z# m2 J& o1 t, A2 d8 X, q  h/ |
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在首次拍卖中,首尔半导体将为其功率放大器和氮化镓(GaN) RF半导体相关的98项专利资产寻求最高竞标者,包括55项美国专利。其中三项专利已授权给美国空军与美国陆军使用。
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( i! v: i, r7 H$ L& r3 l通告表示,此RF专利组合是Sensor Electronic Technology, Inc. (SETi)投入逾一亿美元的研发成果。SETi于1999年在纽约伦斯勒理工学院(RPI)成立,在高功率RF和UV LED技术的GaN器件开发领域处于领先地位。该公司于2015年被首尔半导体的子公司Seoul Viosys(首尔伟傲世)完全收购。SETi现在专注于UV LED技术,所以现在准备拍卖其GaN RF专利组合。: ?& m3 I- F% S( z" n% v
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$ z% e. L  \7 C9 [GaN具有比硅更宽的带隙,这意味着它可以承受比硅更高的电压,并且能够让电流在器件中更快地通过。GaN正成为移动和卫星通信、雷达、无线充电和自动驾驶的首选技术。" I# N; [. e3 L: R/ ^

. V# z6 h9 _2 P5 Y, f, A
, d" w& v* g5 _4 w, ~5 r随着5G技术的到来,GaN RF市场正在快速发展。到2024年,GaN RF市场将增长到20亿美元(Yole Développement, 2019),预计到2025年,全球射频组件市场规模将达到450亿美元(Market Research Report,2019年)。Sumitomo Chemical Co.、Cree Inc.和Qorvo, Inc.在GaN RF市场中占有很大份额。9 b7 p( N+ t# ~, I

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' b; _- Z* E# m1 Z在第二次拍卖中,首尔半导体将拍卖100多项专利,包括与大功率LED封装和自适应照明相关的美国、欧洲、中国、日本和韩国专利。大功率LED封装广泛应用于智能手机和汽车应用,自适应照明应用于智能手机相机镜头、闪光灯和汽车前灯。这些专利是大功率LED芯片的一些基本专利。大功率LED芯片可实现镜头和闪光灯的轻薄设计,从而满足市场对于智能手机相机的各种功能需求。& a( O4 ], Q) [1 i  \) f# P
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首尔半导体创始人Chung Hoon Lee和SETi的首席执行官Chae Hon Kim表示:“首尔半导体现在正为其中某些技术寻找潜在的购买者或许可合作伙伴。我们认为,这对于难以获得关键专利的初创企业和中小型企业(SME)来说,是一个扩展业务的好机会。
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# H( |4 _& ]+ z; x( b% lLee和Kim补充道:“一些大公司通过挖员工或采用忽略知识产权的低成本产品等手段,非法获取我们的商业秘密,对LED产业产生了负面影响。因此我们将向不直接竞争的公司出售部分专利,并将拍卖所得的利润投入到未来的新技术开发中。: c8 X  @9 \0 a

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, V" Z6 y$ g% ^3 N8 o4 O7 Q. [5 |据悉,拍卖过程由数字许可平台GoodIP负责,该平台专注于帮助技术公司和研究中心寻找其知识产权的许可合作伙伴。(新闻来源:首尔半导体LED,封面图源:拍信网)
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更多深入行情,点击了解LEDinside《2019中国LED芯片与封装产业市场报告》。* t( G5 {7 o' a- \; O! ^" |

  r. H: X9 t, n1 u0 d5 m% R! z8 m   推荐阅读欧普照明董事林良琦辞职 2018年薪酬为12万元> 维信诺展出6.47英寸柔性AMOLED 厚度减少30%0 Z+ {8 W7 L" r( e7 |1 P/ l
> 荣创订单能见度看到下季  Q3终止连三季亏损> 因商标转让,雷士照明拟更名为雷士国际控股有限公司  L( q7 @- C8 |$ K, [
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点「在看」,让更多LED人知道
6 a& _+ A9 X$ w来源:http://mp.weixin.qq.com/s?src=11&timestamp=1574888404&ver=2000&signature=i9bdfmlt5Gn9l-9wJsnW8vcVE*gW6HfxwIMyCm69A37ENo7aFrF8*t8n90HZT5aJ2HZF8xjiIBA-itW25c1bVomYPd-o5ijvEcCRiKMXembkQuMrbShekSzhfxWBWVbS&new=1! E+ ]$ D; i0 V
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