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Micro-LED如何解锁高清无码?

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发表于 2022-11-29 07:21:33 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 重庆
五年前,苹果iPhone X开始搭载OLED(有机小分子电致发光显示)屏幕;2021年,苹果在新款MacBook Pro上搭载了新的显示技术:Mini-LED(次毫米发光二极管)。但Mini-LED不是终点站,苹果涉足的另一项储备技术,新秀Micro-LED(微米发光二极管)显示技术或有望一统江湖。# e; Z" V8 b( T0 T$ x
            之所以升级显示技术,都是为了看得更清晰、更还原真实世界。但目前,搭载Micro-LED技术的产品过于昂贵,如三星110英寸的Micro-LED电视,价格已超过百万元,普通人根本无福消受。Micro-LED产品价格何时才能亲民,手机平板何时才能上Micro-LED屏幕?
' \. G, q/ F( E0 a, V            本文是“果壳硬科技”策划的“国产替代”系列第十七篇文章,关注Micro-LED国产替代。在本文中,你将了解到:Micro-LED为什么被称作终极显示技术,Micro-LED的产业化难点,Micro-LED市场情况。! A: `( V9 z5 ?( H, `/ [" W  c
            付斌丨作者
0 f5 b2 E1 b9 X6 N* {            李拓丨编辑
7 M+ D6 E( f0 Y- G+ B# i2 C% s0 Z            果壳硬科技丨策划* ^! y) _/ j1 e% {- d
            改变人类生活的显示技术
2 b# b( X) ~/ Y& z6 L            简单来讲,你可以把Micro-LED理解成将LED缩放到极小尺寸的一种新型显示技术。其未来应用有望涉及显示器、电视、手机平板显示、增强现实/虚拟现实/混合现实(AR/VR/MR)、空间显示、柔性透明显示、可穿戴/可植入光电器件、光通讯/光互联、医疗探测、智能车灯等领域。
' N3 t  k; T0 X1 v            业界使用两种方法界定Micro-LED的技术规格。
1 n/ I' g5 S! R  F0 X            一是通过芯片尺寸界定,将LED芯片缩放至小于100μm,便可称为Micro-LED芯片(也有学者认为应以50μm为界)。根据观看距离和人眼的极限分辨率,对芯片尺寸的要求也不同:4 d3 I/ Q% Z1 J1 Z; Y
            VR/AR应用观看距离约5cm,像素密度要达到1800PPI左右,此时Micro-LED芯片尺寸为3~5 μm;3 T' ?* I; w+ o, L5 X. J5 g
            10英寸~12英寸的平板至少要达到300PPI的像素密度,对应芯片尺寸为20~30μm;& r1 N+ r* t! [) s) Q7 r! t
            75英寸的电视则只需43PPI,芯片尺寸往往为200μm左右。[1]6 ]' L% z* y: Z' b% G
            不同应用对Micro-LED芯片尺寸的要求,制表丨果壳硬科技 参考资料丨《电子工业专用设备》[2]            
7 u' p3 ]6 w* d$ J5 M% ~5 O1 l" ]            另一种是通过工艺界定,由于Micro-LED芯片尺寸非常小,其长宽甚至比芯片的高度还小,导致芯片高度大于固晶面尺寸,不利于芯片在基板上固定,因此会比传统LED增加一步激光剥离芯片基板的操作。4 ^$ m# J8 j' n& {3 y* H3 |" p
            纵观整个显示行业,技术持续涌现,目前市场主流技术包括TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示)、AMOLED(主动矩阵有机发光二极管显示)、QD-OLED(混合OLED和QLED的技术)、QNED(以蓝光LED作为光源的QD-OLED显示)、Mini-LED、Micro-LED、Micro-OLED。
& g0 p" @* l; ]+ g8 X            可以简单将现阶段显示技术分为LCD、OLED、QLED、Micro-LED四个大类,其他技术是在此基础上的改良版或过渡版,而Micro-LED被认为是理想的显示技术,是新型显示时代的终极目标,有望替代现阶段大面积使用的LCD和OLED。  x, g0 |% p7 J& ^" w. {9 m( _. u' h8 m
            从黑白到高清彩色,CRT技术满足了一代人对影响世界的梦想。从又厚又重到平板显示,LCD和OLED满足了人们对轻薄、便携、对视力友好的要求。而现阶段,唯一能达到更接近现实,甚至是能够骗过人眼的下一代显示技术,是Micro-LED。[3]
& K9 w$ B" g( Y5 T3 w6 `            行业人士认为,当多种显示技术集中爆发后,最终可能只会有一两种技术能主导市场,而最有希望的无疑是Micro-LED。[1]: o7 G/ \$ E: {
            主流显示技术的分类,制图丨果壳硬科技 参考资料丨《Micro LED显示研究报告(2019)》[4],《电子工业专业设备》[2]            % B) q4 ^* c# m* L8 k
            Micro-LED凭什么能获得如此高的评价?因为它不仅拥有LED的大部分优点,还具有高亮度、高分辨率、高响应速度、低功耗、体积小、易拆解、灵活度高、无拼缝等特征,能够覆盖绝大多数显示应用场景[5]。与此同时,它的响应速度能够达到几十纳秒,没有残像且不存在寿命问题。[3]
1 A' p- e, G- t7 u" h1 l$ @# p* _            除此之外,对比LCD、OLED、QLED等前辈,Micro-LED的主要性能参数均较为优异。, R: I( \  p* K$ l0 U2 q+ y
            现代显示技术比较[1]            ; D5 {2 A$ J* V% K# k7 D5 E$ p0 ~
            过渡技术已大规模商业化
: B) `: q) k: z! T            Micro-LED还有一个近亲:Mini-LED,可以将后者理解为LED与Micro-LED间的过渡技术。由于技术原理极为类似,业界普遍将二者归结于一个路线中,有些情况也会被合称为MLED。' K& C4 i5 `, t% `- n  G
            作为前序技术,Mini-LED主要解决的问题是芯片尺寸断层问题,相关技术发展对Micro-LED具备一定的借鉴作用,其芯片尺寸一般为75μm~300μm。7 Z* s2 z  ?! n2 \5 O
            LED全景图[6]            
# |0 V) f, C6 Y) ~% @1 o. f# I            Mini-LED要比Micro-LED实现起来简单地多,不仅在芯片尺寸上更容易被实现,而且在材料上也没有科学性的难题,已被量产投入到市场中,苹果、三星、TCL等品牌已实现规模化量产。+ t5 O4 d8 ^. O: S- t" q4 L
            但Mini-LED与Micro-LED有不同应用场景,市面上Mini-LED一般作为LCD背光源出现,再结合量子点技术,实现高动态范围显示,而Micro-LED则直接用于制作显示像素[7]。简单来说,市售的Mini-LED显示器本质上还是LCD,Mini-LED只是LCD的一个陪衬,而Micro-LED显示器则直接发光成像。[8]. Z5 }4 ~, a, o, q: Y. J1 ~! p
            自2018年开始,面板厂商陆续发布使用Mini-LED作为背光的样机,产品尺寸达到152.4mm~685.8mm(6~27英寸),至今为止,Mini-LED背光的显示器已拥有1398mm(55英寸)、1651mm(65英寸)、1905 mm(75英寸)和2159 mm(85英寸)等型号,可达8K分辨率、120Hz刷新率的高指标,可将现有显示器对比度由10000∶1拉升至1000000∶1。[9]
0 V6 f" v3 H6 ]6 Z- A6 E" j            Mini-LED产业化行径明晰,已具备一定出货量。2021年,全球中尺寸Mini-LED背光面板出货量达740万片。到2023年,智能汽车将成为Mini-LED的新阵地。[10]
1 T" c- P+ _! |, s" m2 b            基于Mini-LED背光产品的发展路线[9]            $ D) }/ @( ]; B, q
            作为中间过渡的Mini-LED产业一派欣欣向荣之势,而Micro-LED依然小众,那想让么Micro-LED出圈,究竟难在哪里?! a; m+ d+ q$ h( V
            想造,没那么容易. {# o/ G; \/ g  B6 e* Z, ?
            Micro-LED什么都好,就是贵。究其原因,在于制造环节的难题较多,导致难以大量生产、良率较低,引发价格攀升。6 j! n" c; n! g% L- F3 @, m+ w
            从表面看,Micro-LED芯片只是将LED芯片微缩化,但实际情况远比想象中要难。从毫米级到微米级转换的过程,本质是LED微小化、薄膜化和矩阵化,在该过程中材料生长、器件制备、驱动技术、生产工艺等步骤都发生了变化,最终产生质变。[11]& L5 O/ Q# {" Q1 b9 C3 |
            Micro-LED采用的是RGB(红绿蓝)颜色标准,由于是自发光元件,想让Micro-LED显现图像,就要分别做出三基色的发光芯片,以此构成一个个像素。6 O/ J6 G6 m! P) Q3 K! Z* Z
            用不同材料,可以制备不同颜色的Micro-LED芯片,如InGaN/GaN基材料用于制备绿光/蓝光Micro-LED阵列,AlInGaP/GaAs基材料用于制备红光Micro-LED阵列,蓝宝石、砷化镓和硅等衬底上生长外延层,制备Micro-LED阵列。[12]
2 z6 s0 x2 i+ {! \! l+ E            从衬底到产品,Micro-LED显示器会经过外延生长、芯片制造、巨量转移、性能检测四大工艺。
$ P1 o4 C1 k9 z+ E" r, i) x1 [5 \' p9 r            Micro-LED器件制造工艺流程[2]- R# n& x' y: d  S( n1 p& R
            Micro-LED器件制造简述和难点,制表丨果壳硬科技 参考资料《激光与光电子学进展》[13],《电子工业专业设备》[2]            
/ j  T2 Q* W9 Z* k% |/ X! f% z5 V            从技术上来看,芯片制备相关的材料和设备上相对成熟,问题症候在于制造环节,具体来说,Micro-LED的壁垒包括以下几点:
0 T9 b" Y- u( d4 ^( `            都是小惹的祸) b/ t# c* j* P  V2 F( I  [
            对芯片来说,尺寸做得越小,制造难度就越大,Micro-LED亦如此。Micro-LED芯片的尺寸实在太小了,将其制作成各种显示器件时,都要考虑小尺寸带来的影响。5 H4 z4 A. w8 g& v) V
            要取得小尺寸的Micro-LED,就要使用微缩制程技术,将LED芯片微缩后到满足应用要求的尺寸。微缩制程技术包括芯片焊接、晶圆焊接、薄膜转移三种路径,技术实施得越好,像素密度就会越高。" q/ @, a. M& [& A" ?, y7 ~
            微缩制程技术实现的三种路径,制表丨果壳硬科技 参考资料丨《Micro-LED技术路线图(2020版)》[6],有删改            " X5 @6 W: H& w& m* c- |- `" I9 a* `: O
            Micro-LED还有个不得不面对的致命问题:在微缩过程中,时常会产生侧壁缺陷。比如,同样是2μm的误差缺陷,在250μm×250μm尺寸的LED上,剩余可使用率为97%,但在5μm×5μm的Micro-LED上,剩余可使用率仅为4%。[14]
  \0 y' W8 s8 x4 B# h; f) W" E" K            误差缺陷导致芯片使用率大幅度降低[14]            
9 d! K1 D: c9 O, P! C0 F: p            不仅如此,Micro-LED芯片尺寸越小,电感耦合等离子体(ICP)刻蚀区域(侧壁)与有源区体积的比率就会越大,刻蚀损伤所形成的缺陷占比越高[15]。导致非辐射复合比例逐渐上升,发光效率和使用寿命下降。如尺寸从400μm减小至20μm,电流密度光效下降比例可达50%[7]。这还会导致有源区内肖克利·雷德·霍尔(SRH)非辐射复合几率增加、辐射复合几率和发光效率降低、引入新的漏电通道加重器件反向漏电。这些问题,在尺寸小于10μm的Micro-LED上尤为显著。[16]' b, m9 e) g( Q/ q, b$ h
            芯片尺寸问题还会让提高驱动器与Micro-LED阵列集成的效率和稳定性成为难题。简言之,量产LED或是Mini-LED的工艺流程,对Micro-LED来说可能不再适用。
! M* y2 A; q+ h3 }7 I6 r) G            巨量转移的困境, B2 c! z5 ]- S& y8 B4 H4 r
            LED显示器的每个像素点都由点阵组合而成,一个个小LED芯片组成的阵列的间距基本一致。Micro-LED也是同理。制造出芯片后,也要将大批量的Micro-LED芯片定点巨量地转移到电路基板上,这个过程就是“巨量转移”。1 v7 G# `4 S8 n' W# \
            与传统的LED不同,Micro-LED的巨量转移不仅对转移精度、转移速率、色彩均匀度的控制有更高要求,转移数量也更大,4K的Micro-LED显示器需完成两千多万颗的Micro-LED芯片倒装,而8K则达到了上亿颗。[17]: z* s) p0 n$ T
            目前巨量转移技术有多种技术方案,包括精准拾取技术、激光释放技术、流体自组装技术及滚轮转印技术等,不同技术拥有不同特性,但都存在一定弊端。. x. {/ I% g, t
            Micro-LED芯片巨量转移方式[2]            & h! t, N) D4 b0 r9 k6 B
            具体来说,精准拾取技术对转移设备精准度及稳定度要求极高;激光释放技术在实施过程中可能会对芯片表面造成损伤,降低良率,此外激光设备价格昂贵;流体组装技术需经历3次才能完成转移,效率较低;滚轮转印技术可在柔性基底上实现转移,但同样需要3次转移才能完成巨量转移。[17]! K9 w( t. s& ?- P- C
            部分方法在实验室可达99.99%的良率,但比起至少要达到99.9999%良率的产业化要求,相差距离较大。业界正在探寻一种易实现、良率高又较为便宜的技术方案。[18]
; _% O0 i7 m) A" G" v* W6 k# I            缤纷色彩背后的挑战
' s( q, U- S& ?$ b  ^) p" u, c# C            为什么显示器能够呈现得如此丰富多彩?因为显示界普遍采用了RGB(红绿蓝)颜色系统,通过RGB三原色叠加合成,能够实现肉眼可见的大部分色彩。想要Micro-LED能够正确描绘出画面,就要做好色彩方案,即全彩化。' S7 p2 k2 X/ W) ^& K4 C
            Micro-LED彩色化主要有两种解决方案:一种是蓝色源转色方案,但色转换材料存在涂布均匀性和信赖性等问题,应用较少;另一种是直接使用LED的RGB三色方案,但对Micro-LED来说,这种方案并不是拿来就能用,需要对LED大小进行相应调整,此外由于各色波长均一性差异,还会面临光效率和良率不足的问题。[14]: y6 r$ X' H/ X* @1 d
            不同彩色化技术[17]            $ g, s* T: n; P5 }6 y
            产业链上的难题6 p5 M1 m: D9 }/ o
            造出Micro-LED芯片并不代表着结束,要让它真正显现在人们眼前,在多个技术领域上都要有所突破。& \( ?$ S8 B$ S7 L5 w$ Z9 n
            与其它芯片技术相同,Micro-LED也将牵扯庞大的产业链与原材料问题,从原料到点亮屏幕,分为上游、中游和下游,每个环节都与最终成品息息相关,其中较为关键的技术包括驱动IC、驱动背板和封装。[19]  L# R  Y/ E' E+ ]' j, ?$ T2 \" C
            Mirco-LED显示产业链[19]            : V+ G* S8 N+ s( _) }
            产业正蓄势待发
' g4 T3 I+ f+ F) J; f0 w            作为终极目标,Micro-LED无疑是显示领域的明星。
  k- Z' M- A- |) O6 q            2000年以来,得州理工大学教授提出Micro-LED的概念,堪萨斯州立大学制备基于Ⅲ族氮化物Micro-LED[20],学术界自此掀起研究浪潮。尤其在2006年后,开始呈指数型增长。谷歌学术数据显示,截止目前,Micro-LED领域已有近6000篇文献。# n2 o1 K; f- ~: u
            世界各地研究机构与厂商也相继投入Micro-LED的研究,在消费电子巨头牵动下,Micro-LED初步产业化。  B4 n. V) o6 @/ J
            2012年,索尼发布55英寸高清Micro-LED电视面板Crystal LED,它是首个作为商业产品出现的产品;
9 w% V4 w% k8 |  m            2014年,苹果公司收购Lux Vue,入场Micro-LED的技术研究,这项技术真正开始进入大众视野,迄今为止,苹果不仅持续推动Micro-LED技术发展,还发布了多款Mini-LED相关产品;; J$ F* z3 A& {8 L4 v: A, A9 l- Z
            2018年,三星于CES展推出全球首款模组化拼接的146英寸Micro-LED TV“The Wall”;6 C+ q1 w; ?* B9 Z: S
            2020年12月,三星发售110英寸Micro-LED电视;
  x+ F* a5 V$ X; U            2021年1月,Vuzix发布首款商业化的Micro-LED AR智能眼镜。[17]. A9 F8 _: o* C8 {
            从专利上来看,2002年~2014年,Micro-LED专利申请总量较小。而自2017年开始,申请量开始大幅提升。[21]# Q! k# ]: m2 o8 j" c- y
            Micro-LED发展历程[12]
3 V1 M6 H1 q: \6 k/ ]0 C: v            由于技术难题较多,现阶段Micro-LED整体市场规模有限,业内预计,Micro-LED在2024年将实现大规模商用化。[22]1 T* T9 S% Q8 \& e2 |- f6 o
            据Research And Markets统计,2020年,Micro-LED的全球市场规模为10亿美元,预计到2027年将以77.1%的年复合增长率增长[23]。另据高工产研LED研究所(GGII)预测,2025年全球市场规模将超过35亿美元,2027年有望突破100亿美元[24]。反观国内方面,有望在大规模商用化之后冲击800亿元市场规模。[22]) X1 S: ?% A& l: b+ i0 u4 V
            Micro-LED技术路线图[6]            
! P+ f9 X# t4 d: s            目前市场侧Micro-LED应用分为两大方向,一是以苹果为代表的可穿戴市场,另一个是以三星、索尼为代表的超大尺寸电视市场。短期来看,市场将集中在超小型显示器上,中长期来看,Micro-LED将会横跨可穿戴设备、超大室内外显示屏幕、抬头显示器(Head-Up Display,HUD)、车尾灯、AR/VR/MR、投影机等多领域。[25]
, m2 Z' G+ ?- P/ H            推进产业化的企业主要包括三类:第一类为传统LED芯片和封装企业,如日亚、晶电Lumens等企业;第二类为TFT-LCD和OLED等新型显示企业,如京东方;第三类为终端企业,如索尼、三星、LG。  j, Z+ g1 M: E" U9 L* S3 P
            产业化形式上则以合作为主,Micro-LED以定制化设计为主,加之技术要求较高,行业呈现高度整合态势,面板、芯片、巨量转移及驱动IC等厂商抱团式发展。[26]9 l* c* M, _0 Q' x# H
            国际上,相关融资也此起彼伏,目标均指向大规模产业化。! h. W9 N0 M4 D0 x
            2022年1月~11月中旬Micro-LED国际相关融资不完全统计,制表丨果壳硬科技            
2 A% q  [; P0 K0 {# L            Micro-LED在国内也受到热捧,在政策上不断倾斜,且投融资动作频繁。《2022 Mini/Micro LED显示产业白皮书》显示,仅2022年1月~8月,国内就有30多家企业有投资动作,涉及资金总计达415亿元。[10]. a) e$ {: j1 B5 I3 W' T0 M
            我国产业链上下游企业也纷纷在LED、巨量转移、彩色化、检测、修复等关键技术开展技术合作,形成“京东方+华灿光电”“三安+华星光电”“富采+錼创+友达+群创”三大阵营[27]。与此同时,国内已展开可穿戴显示、高清移动显示、车载显示、高清大尺寸显示、超大尺寸拼接商用显示样机的研发及试产工作。[18]- {8 R8 q# S% d' w; a" s  Z' j4 W' d) N+ W
            2022年1月~11月中旬Micro-LED国内相关融资不完全统计,制表丨果壳硬科技            + T$ R, w8 J+ ^) _5 ^7 H; p
            对产业来说,Micro-LED未来之路非黑即白,从好的方面来看,市场前景一片光明,从坏的方面来看,短时是销量的博弈。
  [5 |& p( P% U. [# x# U  j            一方面,市场下行,面板行业则是砍单风暴的第一批“受害者”,消费电子需求不济,不知道这种情况是否会在大规模商业化时有所缓解。. |; Q# W4 [1 q$ o$ j4 v( z
            另一方面,对普通消费者而言,他们更多关注的是产品的性能、功能及价格,对于采用是哪种技术,并不会过多关心。对于显示厂商来说,最为重要的,可能便是思考如何让更多普通消费者感受到Micro-LED对生活的改变。. j8 U0 i: F" x% B1 V( {
            References:3 D* `1 l$ W+ U: t* Z
            [1] 季洪雷, 张萍萍, 陈乃军, 等. Micro-LED显示的发展现状与技术挑战[J]. 液晶与显示, 2021, 36(8):1101-1112. DOI:10.37188/CJLCD.2021-0063./ _, Q$ U# W( j
            [2] 蔡克新. Micro-LED 显示器量化生产关键技术[J]. 电子工业专用设备, 2021.# i+ [6 N7 B7 F
            [3] 杨小慧.二维到三维的突破——未来选择Micro-LED——专访国际信息显示学会(SID)全球财务长、福州大学特聘教授严群博士[J].光电子技术,2022,42(03):167-168.
" ~! @) o# S4 Y            [4] 赛迪智库:Micro LED显示研究报告(2019).2019.4.8.http://www.cena.com.cn/industrynews/20190408/99708.html
9 H; T* U& X0 {6 @/ r0 G/ r            [5] 常鹏, 翟玥, 吴娜, 等. 钾离子掺杂CsPbCl3:Mn钙钛矿量子点的荧光性能[J]. 液晶与显示, 2021, 36(10):1352-1361. DOI:10.37188/CJLCD.2021-0161.
3 e0 m" l. h) u, |' _) s' N            [6] CSIA:Micro-LED技术路线图(2020版).http://www.casa-china.cn/uploads/soft/211202/12_1605156421.pdf5 e: n  A8 d- U( z' ]3 i/ Q
            [7] 周律, 郑华, 张声浩, 等. Micro-LED显示及其驱动技术的研究进展[J]. 液晶与显示, 2022, 37(11):1395-1410. DOI:10.37188/CJLCD.2022-0157./ q9 h! a1 v! i4 i* k/ ^& W7 `
            [8] 《化合物半导体》:从 Mini-LED 到 Micro-LED 显示器.2021.7.21.https://mp.weixin.qq.com/s/emHt3d8M4PCAYo49NZbUjg2 n" I7 V5 }& }' j+ L$ @2 R9 }5 r1 j
            [9] 季洪雷, 陈乃军, 王代青, 等. Mini-LED背光技术在电视产品应用中的进展和挑战[J]. 液晶与显示, 2021, 36(7):983-992. DOI:10.37188/CJLCD.2021-0042.  W! Y( X$ L6 R( P$ b0 u2 _
            [10] 《上海证券报》:《2022 Mini/Micro LED显示产业白皮书》发布.2022.10.14.https://company.cnstock.com/company/scp_gsxw/202210/4967706.htm" M0 b8 h4 m! z# O& `" D9 ~' o; S) I* D
            [11] TIAN P F, MCKENDRY J J D, GU E D, et al. Fabrication, characterization and applications of flexible vertical InGaN micro-light emitting diode arrays [J]. Optics Express,2016,24(1):699-707.  doi: 10.1364/oe.24.000699
# t& l1 H  c1 P            [12] 周律, 郑华, 张声浩, 等. Micro-LED显示及其驱动技术的研究进展[J]. 液晶与显示, 2022, 37(11):1395-1410. DOI:10.37188/CJLCD.2022-0157.9 }4 n* p3 ~3 F: i8 k3 @1 E
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